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解析碳化硅外延材料产业链 图片来源：拍信图库 与传统硅功率 图片来源：拍信图库 与传统硅功率器件制作工艺不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用方法,温度高达多度,且加工周期比较长,产出比较低,因而碳化硅衬底的成本
分析！碳化硅产业链条核心：外延技术器件 碳化硅功率器件 与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用方法,温度高达多度,且加工周期比较长,产出比较低,因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
