就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间
2022年4月16日1.本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。背景技术： 2.在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给
2022年11月30日【多晶硅】刚刚,隆基绿能发布公告称,公司及其9家子公司与内蒙古大全新能源有限公司签订了多晶硅料长单采购协议,根据协议,双方自2023年5月至2027年12月期间多晶硅料交易数量为25.128万吨。预估合同总金额约671.56亿元人民币（不含税,本测算不构成价格承诺）。
热力破碎的温度好像应该考虑硅的抗拉强度 将硅棒加热的方法 大家也可以讨论下 技术比较先进并有发展前景的加热升温方法是火焰喷射法、电子束法、等离子法和激光法。影响热
2018年10月12日目前,破碎多晶硅有几个方法。. 1.)机械破碎;2.)脉冲破碎;3.)热破碎。. 机械破碎采用颚式或滚筒破碎机,优点是简单易行,缺点是破碎过程中,大量原料被压成粉末,损耗大。. 另一个缺点是容易有金属沾污,对后续的清洗要求比较高。. 脉冲破碎是用高电压
回复 1# lhy8771 用极冷破碎,加热一定的温度,直接浸入冷却的超纯水中,应该比较均匀些吧！. 可以用一根棒子试试效果。. 并且没有污染。. 氮气保护加热到700摄氏度左右浸入超纯水热淬,再轻轻敲即可,破碎均匀；也可蛮力硬砸,使用硬度高且污染小的材质的
2019年1月21日CVD反应炉是生产电子级多晶硅的核心装置,目前,制备电子级多晶硅主要以12对棒还原炉为主,现有CVD炉筒内壁材料一般为316L材质。 由于还原炉内硅棒表面温度大约1 100 ℃左右,气体温度约700～800 ℃,在高温下炉筒内壁容易发黑并析出其他金属杂质,造成产品质量异常。
【技术实现步骤摘要】 本技术涉及多晶硅材料加工,尤其涉及一种用于多晶硅硅棒破碎加工的自动取料系统。 技术介绍 多晶硅为光伏产业和半导产业的基本原料,近年来在国内取得了井喷式的高速发展。在还原炉内生产得到的多晶硅硅棒需要进行破碎成单晶硅生产所必须的块状原料进行包装仓储
在还原炉内制得的多晶硅棒被从炉内取下,切断、破碎成块状的多晶硅。在全自动多晶硅块清洗线上,用一定浓度的氢氟酸和硝酸对块状多晶硅进行腐蚀处理,再用超纯水洗净多晶硅块,然后对多晶硅块进行干燥。在取样测量器各项质量指标合格后包装。
2013年6月16日2015-1-8 多晶硅棒破碎机 - 矿山机械 多晶硅棒破碎机 产品简介本产品特别针对多晶硅还原炉拆棒后处理转移硅棒所设计,设计充分考虑到硅棒规格品质洁净防爆失气等严格要求,采用无电源全气动控制,仅需 一种冲击震动式多晶硅硅棒破碎装置的制造方法
2017年5月3日1018氧是多晶硅中的一种非常重要的杂质,它主要来源于石英坩埚的沾污。在硅的熔点温度下,硅和二氧化硅发生如下热化学反应SiO2+Si2SiOSiO被硅熔体中的热对流带至坩埚中心的过程中,99%的SiO蒸发了,仅1％的SiO进入晶体中,形成了硅中的氧含量。
2019年1月21日CVD反应炉是生产电子级多晶硅的核心装置,目前,制备电子级多晶硅主要以12对棒还原炉为主,现有CVD炉筒内壁材料一般为316L材质。 由于还原炉内硅棒表面温度大约1 100 ℃左右,气体温度约700～800 ℃,在高温下炉筒内壁容易发黑并析出其他金属杂质,造成产品质量异常。
2022年8月29日通过这种方法得到的多晶硅,其中C元素的含量不超过0.0005%,由此可见,硅石碳热还原法得到的多晶硅的纯度相当之高。 6、电解法 电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅,在电解装置中,以C作为阳极,反应温度控制在1000℃,在经过一段时间的电解反应后,Si单质将会在阴极上附着,阳极
2019年1月28日目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 硅烷法——硅烷热分解法 硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
2022年8月29日通过这种方法得到的多晶硅,其中C元素的含量不超过0.0005%,由此可见,硅石碳热还原法得到的多晶硅的纯度相当之高。 6、电解法 电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅,在电解装置中,以C作为阳极,反应温度控制在1000℃,在经过一段时间的电解反应后,Si单质将会在阴极上附着,阳极
玄武版澳有限公司是一家集破碎筛分、给料输送、除尘环保的研发、设计、生产、销售与服务为一体的制造服务商。以机械制造优势为依托,不断在新产品、新技术、新模式、新业态方面**突破,形成了摇摆筛、气流筛、三次元旋振筛、超声波振动筛、矿用振动筛、振动给料机、振动输送机械、直线
2017年5月3日1018氧是多晶硅中的一种非常重要的杂质,它主要来源于石英坩埚的沾污。在硅的熔点温度下,硅和二氧化硅发生如下热化学反应SiO2+Si2SiOSiO被硅熔体中的热对流带至坩埚中心的过程中,99%的SiO蒸发了,仅1％的SiO进入晶体中,形成了硅中的氧含量。
2018年11月20日本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置,包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒,盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一
2003 年起,双良新能源持续专注于多晶硅还原系统成套工艺装置 的研发和制造,双良还原炉已经形成了从 12 对棒到 72 对棒产品系 列化。 双良多晶硅还原炉毛利率长期保持在 30%以上的水平, 2021 年受益于下游硅料扩产,公司多晶硅还原炉业务营收大幅增 长,毛利率企稳回升至 38%。
2022年2月14日电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置,202210134709.5,发明公布,本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置,所述方法包括：1在CVD炉内的硅棒生长完成后,关闭原料进口和尾气出口,向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒降温；2当所述硅棒的温度降至600‑800℃时,加速向炉内吹扫保护气体,以便
2018年5月31日CN630102. 摘要：. 本发明涉及多晶硅生产领域,具体涉及一种多晶硅自动破碎生产系统.本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统,包括第一运输装置,预破碎装置,第二运输装置,破碎装置,筛分装置以及包装装置.在使用过程中,多晶硅硅棒通过第一运输装置
2017年5月3日1018氧是多晶硅中的一种非常重要的杂质,它主要来源于石英坩埚的沾污。在硅的熔点温度下,硅和二氧化硅发生如下热化学反应SiO2+Si2SiOSiO被硅熔体中的热对流带至坩埚中心的过程中,99%的SiO蒸发了,仅1％的SiO进入晶体中,形成了硅中的氧含量。
多晶硅棒的裂纹产生方法和裂纹产生装置专利检索,多晶硅棒的裂纹产生方法和裂纹产生装置属于 晶体生长专利检索,找专利汇即可免费查询专利, 晶体生长专利汇是一家知识产权数据服务商,提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能。
阿里巴巴徐州多晶硅立磨配件辊皮现货供应,粉碎设备配件,这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是徐州多晶硅立磨配件辊皮现货供应的详细页面。型号:850,订货号:2017-12-4,加工定制:是,配件名称:辊皮,配件用途:立磨配件,材质:高铬,品牌:一机。
2019年1月21日CVD反应炉是生产电子级多晶硅的核心装置,目前,制备电子级多晶硅主要以12对棒还原炉为主,现有CVD炉筒内壁材料一般为316L材质。 由于还原炉内硅棒表面温度大约1 100 ℃左右,气体温度约700～800 ℃,在高温下炉筒内壁容易发黑并析出其他金属杂质,造成产品质量异常。
2021年4月5日改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有:氯化氢合成炉,三氯氢硅沸腾床加压合成炉,三氯氢硅水解凝胶处理系统,三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统,硅芯炉,节电还原炉,磷检炉,硅棒切断机,腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置,还原尾气干法回收装置;其他
【技术实现步骤摘要】 电子级多晶硅清洗方法 [0001]本专利技术涉及多晶硅生产,具体而言,本专利技术涉及电子级多晶硅清洗方法。技术介绍 [0002]电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料,生产工艺多采用改良西门子法,通过CVD沉积生产硅棒,随后通过破碎、清洗、筛分等一系列后处理流程将硅
2021年7月26日2009年以来,该公司与多家多晶硅企业合作,以"节能降耗、挖潜消瓶、提高效益"为目标,实施一系列技术升级改造,解决了制约多晶硅生产能耗及
我是多晶硅后处理岗位上的。我们有2套多晶硅热淬炉,是将多晶硅加热到一定温度然后赶快提出来再放到装着冷高纯水的冷淬炉里,这样出来就好破碎多了。 但是我们不用它,因为费钱费时间。我们也是人工砸的,热淬间目前4个人,他们砸的可累了,有好多时候锤子砸的冒火星硅棒都砸不碎。
2012年1月27日1.5 设计方案的选取 多晶硅棒料的尺寸是直径150mm,长2500mm 的圆柱,硬度非常高,而且在破碎的 过程中必须保证不能污染多晶硅,这给设计带来一些难度。. 经过反复的设计,最终确定 了方案,破碎机类型为锤式破碎机,模仿工人的锤击方式。. 1、第
